最近，長安汽車旗下SiC電驅已經實現量產，即將批量“上車”，而子公司的碳化硅車型已經實現交付。


青山SiC電驅量產

批量交付深藍汽車

7月28日，重慶青山工業(yè)宣布，他們的首款基于碳化硅的七合一電驅總成PEF20B02成功實現量產，搭載長安深藍車型批量供貨。

據“行家說三代半”了解，青山公司是長安汽車的子公司，該SiC電驅被深藍汽車S7車型所采用。

據悉，PEF20B系列電驅總成是一款七合一電驅總成，集成了電機、電機控制器、減速器、充電機、220V電源、直流變換器、高壓分線盒，最大輸出扭矩3600N.M，最高輸出轉速1420RPM。

據“行家說三代半”了解，PEF20B01已于2022年11月正式投產下線，該產品最高效率達94.5%，NEDC工況平均效率大于85.5%，在行業(yè)內具備一定的領先性。

據青山公司產品開發(fā)部項目總監(jiān)楊新濤此前介紹，他們的主驅七合一電驅的功率模塊采用了SiC器件，高壓油冷永磁同步電機采用Hair-pin扁線，800V高壓平臺，電機功率密度達到6.5kW/kg，最高效率超過97.5%，CLTC工況效率超過94.5%。


優(yōu)秀的功率器件材料

半導體材料是用于制造半導體器件和集成電路的關鍵電子材料。

在過去的十年里，全球各國紛紛布局第三代寬禁帶半導體材料的產業(yè)化進程，主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁（ALN）、氧化鎵（Ga2O3）等。其中，碳化硅作為第三代半導體材料的核心，具備耐高壓、耐高溫、低能量損耗和高功率密度等優(yōu)勢。

相較于硅基功率器件，碳化硅功率器件采用碳化硅為襯底，可實現功率模塊的小型化和輕量化。

碳化硅材料相較于硅材料具有高出10多倍的擊穿場強，使得在相同的耐壓值下，碳化硅功率模塊的導通電阻和尺寸僅為硅的1/10，從而顯著降低了功率損耗。

碳化硅材料還具有大禁帶寬度（約為硅的3倍）、高熱導率（約為硅的3.3倍）以及高熔點（2830°C，約為硅的1410°C的兩倍）等特性。這使得碳化硅器件在減少電流泄露的同時，能夠大幅提高工作溫度。

在相同規(guī)格的條件下，碳化硅基MOSFET與硅基MOSFET相比，其尺寸可以大幅減小至原來的1/10，導通電阻也至少降低至原來的1/100。這導致碳化硅基MOSFET相較于硅基IGBT總能量損耗大幅降低70%。

目前，碳化硅材料主要應用于功率和射頻器件。

部分應用中的碳化硅器件已經開始大規(guī)模出貨，并在汽車、充電樁、光伏逆變器、軌道交通等領域得到了商業(yè)化應用。特別是在電動車電驅中的650V SiC模組已經實現大批量出貨。

據Yole預測，1200V模組產品預計將在未來1-2年內在光伏逆變器中開始廣泛應用。


碳化硅產業(yè)鏈

碳化硅器件的產業(yè)鏈主要包括三大環(huán)節(jié)：襯底、外延和器件制造。器件制造環(huán)節(jié)又可細分為設計、制造和封測。

從工藝流程角度來看，碳化硅器件的生產首先由碳化硅粉末經過長晶形成晶碇。接下來，經過切片、打磨和拋光等步驟，得到碳化硅襯底。在襯底上通過外延生長得到外延片。最后，外延片經過一系列工藝步驟，包括光刻、刻蝕、離子注入、沉積等，最終制造成碳化硅器件。

在碳化硅產業(yè)鏈中，襯底和外延環(huán)節(jié)占據了價值的70%。碳化硅襯底的成本占整個器件的47%，外延成本占23%，兩者在碳化硅器件產業(yè)鏈中具有重要地位。

相比之下，后道的器件設計、制造和封測環(huán)節(jié)僅占整個器件成本的30%。


競爭格局集中，國內襯底廠商奮起直追

襯底市場競爭格局集中，海內外廠商發(fā)展模式差異大。國外企業(yè)多以 IDM 模式布局全 產業(yè)鏈，如 Wolfspeed、羅姆及意法半導體等，而國內企業(yè)傾向專注于單個環(huán)節(jié)制造，如襯底領域的天科合達、天岳先進，外延領域的瀚天天成、東莞天域半導體。

碳化硅襯底的市場規(guī)模有望快速增長。根據中商產業(yè)研究院數據，2022 年全球導電型 碳化硅襯底和半絕緣型碳化硅襯底市場規(guī)模分別為 5.12 和 2.42 億美元，預計到 2023 年市 場規(guī)模將分別達到6.84 和2.81 億美元。2022-2025年，導電型碳化硅襯底CAGR 達34%。 根據中商產業(yè)研究院數據，海外廠商壟斷碳化硅襯底市場。2020 年碳化硅襯底中海外 廠商市占率達 86%，其中 Wolfspeed 市占率達 45%，Rohm（收購 SiCrystal）排名第二， 占 20%的市場份額。國內企業(yè)天科合達、天岳先進分別占據了 5%、3%。

分導電型和半絕緣型市場看：1）2020 年全球導電型碳化硅襯底市場中，Wolfspeed 市占率達 62%，CR3 約 89%，國內份額最大的天科合達僅占 4%；2）2020 年全球半絕緣 型碳化硅襯底市場中，Wolfspeed、II-VI 分別占 33%、35%的市場份額，CR2 約 68%， 國內天岳先進占 30%。

國外壟斷廠商運用先發(fā)優(yōu)勢繼續(xù)擴產。Wolfspeed 位于紐約的莫霍克谷工廠現已投產 （8 英寸），預計 2023-2024 年產能達 72 萬片/年（相當于 150 萬片 6 英寸）。此外， Wolfspeed 一期建設投資 13 億美元在北卡羅來納州查塔姆縣建造的 8 英寸碳化硅生產工 廠，預計2024 年完工后帶來超10 倍產能擴充；II-VI 建設美國賓夕法尼亞州伊斯頓的工廠， 預計 2027 年產能達 100 萬片/年 6 英寸；日本羅姆預計 2025 年襯底產能擴展至 30-40 萬 /年。

國內廠商奮起直追。預計天科合達 2025 年底，6 英寸有效產能達 55 萬片/年；預計天 岳先進的上海臨港工廠，2026 年達產產能為 30 萬片/年。 我們認為國產襯底廠商進展超預期。2023 年 4 月，天岳先進 2022 年年報披露與博世 集團簽署長期協議；5 月，英飛凌宣布與天科合達和天岳先進 2 家 SiC 襯底廠商簽訂長期 協議，并預計 2 家供應量均將占到英飛凌長期需求量的兩位數份額。這是國產 SiC 的里程 碑事件，體現國產 SiC 襯底龍頭獲國際器件大廠認可，襯底良率和性能提升超預期。 23 年 6 月，意法半導體宣布將與三安光電在中國成立 200mm 碳化硅器件制造合資企 業(yè)公司，三安光電將建造并單獨運營一座新的 200 毫米碳化硅襯底制造廠，使用自己的碳 化硅襯底工藝來滿足合資企業(yè)的需求。