根據協議，瑞薩子公司將以每股5.10美元現金收購Transphorm所有已發行普通股，較Transphorm在2024年1月10日的收盤價溢價約35%，較過去十二個月的成交量加權平均價格溢價約56%，較過去六個月的成交量加權平均價格溢價約78%。

據了解，本次交易對Transphorm的估值約為3.39億美元。瑞薩電子方面表示，此次收購完成后，將為公司提供GaN的內部技術，從而擴展其在電動汽車、計算(數據中心、人工智能、基礎設施）、可再生能源、工業電源以及快速充電器/適配器等快速增長市場的業務范圍。

瑞薩電子布局SiC和GaN

作為碳中和的基石，對高效電力系統的需求正在不斷增加。為了應對這一趨勢，相關產業正在向以碳化硅（SiC）和GaN為代表的寬禁帶(WBG)材料過渡。這些先進材料比傳統硅基器件具備更廣泛的電壓和開關頻率范圍。

在2023年5月，瑞薩社長兼CEO柴田英利在線上戰略說明會上表示，將自2023年起開始投資SiC功率半導體，公司的目標是在2025年開始進行量產，目前瑞薩電子自建SiC生產線在建設中。除了自建SiC生產線之外，瑞薩電子還于2023年7月，與Wolfspeed簽署了為期10年的SiC晶圓供應協議。

此次收購Transphorm，是瑞薩電子在GaN方面的布局，其目標是利用Transphorm在GaN方面的專業知識，進一步擴展瑞薩的WBG產品陣容。與SiC一樣，GaN也是一種新興材料，后者可實現更高的開關頻率、更低的功率損耗和更小的外形尺寸。這些優勢可讓系統具有更高效、更小、更輕的結構以及更低的總體成本。瑞薩將采用Transphorm的汽車級GaN技術來開發新的增強型電源解決方案，例如用于電動汽車的X-in-1動力總成解決方案，以及面向計算、能源、工業和消費應用的解決方案。

最終收購將于2024年下半年完成

針對此次收購，目前Transphorm董事會已一致批準最終協議，并建議Transphorm股東通過該最終交易并批準合并。在簽署本次最終協議的同時，持有Transphorm約38.6%已發行普通股的KKR Phorm Investors L.P.已與瑞薩簽訂慣例投票協議以支持本次交易。

據了解，該交易預計將于2024年下半年完成，但需獲得Transphorm股東的批準、監管部門的許可和其他慣例成交條件的滿足。