根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示，2024年第一季DRAM產(chǎn)業(yè)主流產(chǎn)品合約價(jià)走揚(yáng)、且漲幅較2023年第四季擴(kuò)大，帶動(dòng)營(yíng)收較前一季度成長(zhǎng)5.1%，達(dá)183.5億美元，推動(dòng)多數(shù)業(yè)者營(yíng)收延續(xù)季增趨勢(shì)。

出貨表現(xiàn)上，第一季三大原廠皆出現(xiàn)季減，反映產(chǎn)業(yè)淡季效應(yīng)，加上下游業(yè)者的庫存水平已墊高，采購量明顯減弱。平均銷售單價(jià)方面，三大原廠延續(xù)著2023年第四季合約價(jià)上漲氛圍，再加上庫存仍處于健康水位，故漲價(jià)意愿強(qiáng)烈。其中，中系手機(jī)銷售暢旺，帶動(dòng)Mobile DRAM的價(jià)格漲幅領(lǐng)先所有應(yīng)用，而Consumer DRAM的原廠庫存仍待去化，導(dǎo)致價(jià)格漲幅居所有應(yīng)用之末。

TrendForce集邦咨詢指出，第二季即使消費(fèi)性需求減少，原廠的出貨位元數(shù)仍將反映季節(jié)效應(yīng)而季增；價(jià)格方面，在地震后災(zāi)損狀況尚未明確厘清期間，采購心態(tài)有所改變，PC OEMs始有零星成交價(jià)格開出，漲幅高于TrendForce集邦咨詢預(yù)期，預(yù)估最終DRAM合約價(jià)將上漲13-18%。


行業(yè)巨頭營(yíng)收微漲 減產(chǎn)出貨起效

自營(yíng)收角度觀察，Samsung的營(yíng)收微幅增加至80.5億美元，第一季增幅僅1.3%，營(yíng)收市占小幅下滑1.6個(gè)百分點(diǎn)至43.9%，仍維持排名第一；售價(jià)季增約20%，抵消位元出貨量的中個(gè)位數(shù)季減幅度，以價(jià)補(bǔ)量結(jié)構(gòu)明顯。

排名第二的SK hynix，第一季營(yíng)收微幅增加至57.0億美元，季增幅僅2.6%，營(yíng)收市占小幅下滑0.7個(gè)百分點(diǎn)至31.1%；售價(jià)季增約20%，抵消位元出貨量的中個(gè)位數(shù)季減幅度，結(jié)構(gòu)與Samsung相同。

Micron第一季營(yíng)收增加至39.5億美元，季增幅達(dá)17.8%，營(yíng)收市占上升2.3個(gè)百分點(diǎn)至21.5%，排名第三名；售價(jià)季增約23%、同時(shí)位元出貨量?jī)H季減4-5%，表現(xiàn)優(yōu)于前兩大同業(yè)，除本季價(jià)格策略較積極外，Server DRAM出貨受惠于美系大客戶訂單，表現(xiàn)相對(duì)穩(wěn)健。

第二季三大原廠預(yù)估的出貨量將分別為：Samsung出貨量成長(zhǎng)低個(gè)位數(shù)至高個(gè)位數(shù)幅度、SK hynix季增中個(gè)位數(shù)的幅度、Micron小幅季減。

Nanya第一季在價(jià)格回升所帶動(dòng)的備貨動(dòng)能，以及Consumer DRAM終端銷售動(dòng)能回升較緩等需求消長(zhǎng)影響下，第一季出貨量為低個(gè)位數(shù)的季增幅度，ASP（平均銷售單價(jià)）有高個(gè)位數(shù)的季增幅度，營(yíng)收季增10.5%至3.02億美元。

存儲(chǔ)芯片有望迎來量?jī)r(jià)齊升

弘毅遠(yuǎn)方基金陳祥輝介紹，據(jù)IDC預(yù)測(cè)，全球AI計(jì)算市場(chǎng)規(guī)模將從2022年的195.0億美元增長(zhǎng)到2026年的346.6億美元；中國(guó)智能算力規(guī)模與去年相比增加了41.4%，規(guī)模占比達(dá)22.8%，超過全球整體智能算力增速（25.7%）。

“AI服務(wù)器對(duì)DRAM的需求是普通服務(wù)器的8倍，NAND需求是普通服務(wù)器的3倍5。隨著AI服務(wù)器出貨量的增加，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)將迎來量?jī)r(jià)齊升。”弘毅遠(yuǎn)方基金陳祥輝指出，高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）技術(shù)因其高速數(shù)據(jù)傳輸能力，在AI服務(wù)器中得到廣泛應(yīng)用。預(yù)計(jì)未來幾年，HBM技術(shù)的市場(chǎng)規(guī)模將持續(xù)增長(zhǎng)。存算一體技術(shù)通過在存儲(chǔ)器中嵌入計(jì)算能力，有效提升了數(shù)據(jù)效率，解決了傳統(tǒng)馮諾依曼架構(gòu)中的瓶頸問題。存儲(chǔ)行業(yè)在AI算力的拉動(dòng)下，將迎來新的增長(zhǎng)周期。國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)企業(yè)通過技術(shù)創(chuàng)新，有望在全球市場(chǎng)中占據(jù)一席之地。


有待提升的市場(chǎng)份額

存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)向好本是件好事兒，但中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)起步較晚，技術(shù)水平相對(duì)較低，導(dǎo)致國(guó)內(nèi)市場(chǎng)幾乎全部依賴進(jìn)口。目前，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片的自給率不足10%，甚至有報(bào)道稱不足5%。然而，國(guó)內(nèi)企業(yè)如兆易創(chuàng)新、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等正在積極布局并逐步提升技術(shù)水平，初步形成競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

由于國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片技術(shù)限制，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器仍大量依賴進(jìn)口，行業(yè)進(jìn)口替代空間廣闊。國(guó)內(nèi)企業(yè)正在積極提高技術(shù)能力和產(chǎn)品水平，從存儲(chǔ)模組產(chǎn)品、固件開發(fā)、主控芯片研發(fā)到存儲(chǔ)晶圓生產(chǎn)，不斷探索和發(fā)展，努力提高自主可控水平。

好在去年8月以來，DRAM、NAND Flash廠商開始減產(chǎn)挺價(jià)，存儲(chǔ)芯片價(jià)格終于走出暴跌的陰霾。特別是閃存價(jià)格持續(xù)上漲，NAND指數(shù)由421.57開始反轉(zhuǎn)，今年4月30日已經(jīng)高達(dá)825.26，漲幅已經(jīng)超過95.8%。

經(jīng)過多年的發(fā)展，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片巨頭長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、福建晉華等公司逐漸取得突破，并搶占了部分存儲(chǔ)市場(chǎng)。

三家公司發(fā)展各有側(cè)重，長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)力于“晶棧”技術(shù)，并在NAND領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)長(zhǎng)足的進(jìn)展。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)則發(fā)力于DRAM，并已經(jīng)推出多種DRAM芯片。福建晉華側(cè)重于發(fā)展DRAM內(nèi)存，未來有望快速恢復(fù)發(fā)展。

2月28日，福建晉華經(jīng)過五年的艱苦博弈，在美國(guó)贏得美國(guó)司法部訴訟，成功擺脫了知識(shí)產(chǎn)權(quán)方面的無端指控。這對(duì)國(guó)產(chǎn)芯片具有重大意義，不僅顯示我國(guó)科技類企業(yè)持續(xù)強(qiáng)化合法合規(guī)運(yùn)營(yíng)，也進(jìn)一步向世人宣布中國(guó)芯片研究實(shí)力的提升。

國(guó)產(chǎn)替代兩大核心賽道

存儲(chǔ)芯片在集成電路市場(chǎng)中占據(jù)了四分之一以上的份額，并且與集成電路市場(chǎng)相比，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的周期性更加明顯和劇烈。全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)中，DRAM的占比高達(dá)56%，而NAND Flash則約占41%。

存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)鏈由多個(gè)環(huán)節(jié)組成，包括集成電路設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝和測(cè)試以及模組廠商集成等。上游參與者主要是半導(dǎo)體材料供應(yīng)商和半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商，提供硅片、光刻膠、靶材、拋光材料、電子特種氣體等半導(dǎo)體材料，以及光刻機(jī)、PVD、CVD、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、封測(cè)設(shè)備等半導(dǎo)體設(shè)備。

目前，無論是DRAM還是NAND Flash市場(chǎng)，都呈現(xiàn)出海外企業(yè)寡頭壟斷的格局。我國(guó)的大部分廠商仍在與國(guó)際龍頭企業(yè)進(jìn)行錯(cuò)位競(jìng)爭(zhēng)，主要聚焦在利基型市場(chǎng)。

早期全球領(lǐng)先的企業(yè)如三星、海力士和美光通過大量資本投入進(jìn)入了DRAM存儲(chǔ)器領(lǐng)域，并逐步積累了顯著的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。當(dāng)前全球DRAM晶圓市場(chǎng)目前主要由這三家企業(yè)主導(dǎo)。

據(jù)Omdia數(shù)據(jù)顯示，近十年來，以上三家DRAM晶圓原廠每年都需要投入數(shù)十億美元用于固定資產(chǎn)投資，且這一趨勢(shì)呈波動(dòng)式增長(zhǎng)。這充分表明，DRAM晶圓設(shè)計(jì)與制造行業(yè)有著相當(dāng)高的資本門檻。

國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈布局廠商中，兆易創(chuàng)新和北京君正這兩家企業(yè)都在布局DRAM和Flash市場(chǎng)。兆易創(chuàng)新是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)企業(yè)，其產(chǎn)品涵蓋了存儲(chǔ)器、微控制器和傳感器。北京君正則于2020年收購了北京矽成100%的股權(quán)，其產(chǎn)品主要包括微處理器芯片、智能視頻芯片、存儲(chǔ)芯片和模擬與互聯(lián)芯片。

此外，普冉股份是國(guó)內(nèi)非易失性存儲(chǔ)領(lǐng)域的領(lǐng)先芯片設(shè)計(jì)企業(yè)之一，其主要產(chǎn)品包括NOR Flash和EEPROM。普冉股份憑借其獨(dú)特的SONOS工藝和40nm的領(lǐng)先制程，在中小容量領(lǐng)域具有突出的低功耗和高性價(jià)比優(yōu)勢(shì)。