據(jù)日經(jīng)亞洲援引知情人士稱，美光正在美國(guó)建設(shè)先進(jìn)高帶寬內(nèi)存芯片（HBM）的測(cè)試生產(chǎn)線，并首次考慮在馬來(lái)西亞生產(chǎn)HBM，以滿足人工智能熱潮帶來(lái)的更多需求。

在2023年10月，美光在馬來(lái)西亞檳城的第二座智能（尖端組裝與測(cè)試）工廠落成開(kāi)業(yè)， 該工廠初期投入了10億美元，在第一座工廠建成后，再加碼10億美元擴(kuò)建第二座智慧廠房，將工廠建筑面積擴(kuò)充至150萬(wàn)平方尺。

美光科技全球組裝與測(cè)試營(yíng)運(yùn)高級(jí)副總裁古沙蘭辛格(Gursharan Singh)頃于慶祝該公司45周年紀(jì)念及第二座智慧廠房開(kāi)幕儀式后表示，馬來(lái)西亞是美光科技最關(guān)鍵之投資據(jù)點(diǎn)，該集團(tuán)計(jì)劃于未來(lái)幾年內(nèi)，全面裝備新廠房，以提高馬國(guó)美光科技之生產(chǎn)率，并加強(qiáng)其組裝與測(cè)試能力，提供先進(jìn)的NAND、PCDRAM及SSD模組，以滿足人工智慧與電動(dòng)車等不斷成長(zhǎng)之需求。

近年來(lái)，人工智能服務(wù)器以及人工智能應(yīng)用的爆炸式增長(zhǎng)，HBM得到迅速采用，推動(dòng)了內(nèi)存領(lǐng)域前所未有的產(chǎn)能增長(zhǎng)。作為回應(yīng)，領(lǐng)先的 DRAM 制造商正在增加對(duì) HBM/DRAM 的投資。SEMI 最新《世界晶圓廠預(yù)測(cè)》季度報(bào)告中，預(yù)計(jì) 2024 年和 2025 年 DRAM 容量都將增長(zhǎng) 9%。

英偉達(dá)對(duì)美光HBM的需求旺盛。根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Yole的預(yù)測(cè)，僅英偉達(dá)一家對(duì)HBM的需求在未來(lái)幾年內(nèi)就有望超過(guò)百億美元。此外，美光宣布其最新的HBM3E產(chǎn)品將用于英偉達(dá)的H200 Tensor Core GPU。

英偉達(dá)是臺(tái)積電的大客戶之一，臺(tái)積電新任董事長(zhǎng)魏哲家此前就抱怨過(guò)英偉達(dá)的產(chǎn)品太貴，魏哲家表示：“我們希望我們的客戶能與我們分擔(dān)一些更高的成本，我們已經(jīng)開(kāi)始與客戶進(jìn)行討論。”黃仁勛也認(rèn)為臺(tái)積電漲價(jià)是合理的。TrendForce稱，臺(tái)積電在AI應(yīng)用、PC新平臺(tái)等HPC應(yīng)用及智能手機(jī)高端新品推動(dòng)下，5/4nm及3nm呈滿載，今年下半年產(chǎn)能利用率有望突破100%，且能見(jiàn)度已延伸至2025年。

為滿足英偉達(dá)大量的HBM產(chǎn)能需求，美光和SK海力士的HBM產(chǎn)能已經(jīng)排到2025年底。英偉達(dá)正在對(duì)三星和美光科技的HBM進(jìn)行資格認(rèn)證。今年5月，路透社報(bào)道，三星電子最新的HBM芯片尚未通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試。不過(guò)，黃仁勛在 2024 臺(tái)北國(guó)際電腦展上，表示仍在認(rèn)證三星公司的 HBM 內(nèi)存，否認(rèn)三星 HBM 未通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試，并表示認(rèn)證三星 HBM 需要更多工作和耐心。

報(bào)道稱，美光計(jì)劃在2025年將HBM領(lǐng)域的市場(chǎng)份額快速提升至約20%，以匹配其在DRAM行業(yè)整體營(yíng)收中的份額。消息人士透露，美光正在其位于美國(guó)愛(ài)達(dá)荷州博伊西的總部擴(kuò)建與HBM相關(guān)的研發(fā)生產(chǎn)設(shè)施，這包括技術(shù)驗(yàn)證產(chǎn)線和量產(chǎn)線。

美國(guó)拜登政府已經(jīng)宣布，美光獲得了美國(guó)商務(wù)部提供的 61.4 億美元的直接資金補(bǔ)貼，這些資金將幫助美光將40%的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到美國(guó)。

援引路透社消息稱，這項(xiàng)投資將推動(dòng)美光公司在紐約州中部實(shí)施其價(jià)值 1000 多億美元的四座晶圓廠項(xiàng)目，預(yù)計(jì)創(chuàng)造 50,000 個(gè)就業(yè)崗位。

據(jù)了解，美光會(huì)先在紐約建設(shè)兩座領(lǐng)先的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 工廠，這是美光在未來(lái)20年內(nèi)投資約 1000 億美元的長(zhǎng)期投資計(jì)劃的第一步。該資金還將支持美光在愛(ài)達(dá)荷州的 DRAM 工廠投資250億美元，該工廠將與美光在博伊西的研發(fā)設(shè)施位于同一地點(diǎn)。

美光也在日本擴(kuò)產(chǎn)，美光獲得日本政府半導(dǎo)體補(bǔ)助后，就宣布將在日本廣島縣投資6,000億至8,000億日?qǐng)A（約38億至51億美元），興建一座采用極紫外光（EUV）微影制程的先進(jìn)DRAM晶片廠，最快2026年初動(dòng)工，2027年底開(kāi)始營(yíng)運(yùn)。

美光打算在日本增設(shè)的新廠，最初預(yù)定日本新廠在今年之前開(kāi)始營(yíng)運(yùn)，明年之前開(kāi)始生產(chǎn)先進(jìn)DRAM芯片，同時(shí)進(jìn)行HBM芯片研發(fā)，但前兩年存儲(chǔ)芯片市況低迷讓日本建廠計(jì)劃暫停，直到近日才重啟計(jì)劃。

資金方面，日本政府將提供1,920億日?qǐng)A補(bǔ)助，其中1,670億日?qǐng)A直接補(bǔ)助先進(jìn)DRAM生產(chǎn)，占美光對(duì)廣島廠生產(chǎn)線投資額的三分之一。日本政府將其余250億日?qǐng)A補(bǔ)助款用來(lái)協(xié)助美光推動(dòng)新一代芯片研發(fā)，占美光廣島廠研發(fā)經(jīng)費(fèi)的二分之一。

據(jù)TrendForce報(bào)道，美光在廣島的新工廠位于現(xiàn)有的Fab 15附近，專注于 DRAM 生產(chǎn)，不包括后端封裝和測(cè)試，并將重點(diǎn)放在 HBM 產(chǎn)品上。

美光科技廣島新工廠將率先采用極紫外 (EUV) 光刻設(shè)備，生產(chǎn)中國(guó)臺(tái)灣和日本合作開(kāi)發(fā)的新型先進(jìn) 1-Gamma 工藝 DRAM。隨后，該工廠還將過(guò)渡到 1-Delta 工藝，從而大幅增加 EUV 工具的使用量和更高的潔凈室設(shè)施。

至于位于廣島的Fab 15，則是HBM的量產(chǎn)基地，負(fù)責(zé)前端晶圓生產(chǎn)和硅通孔（TSV）工藝，而后端堆疊和測(cè)試工藝則由中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)中后端工廠負(fù)責(zé)。TechNews援引的市場(chǎng)報(bào)告表明，由于HBM需求不斷增長(zhǎng)，美光在臺(tái)灣的工廠將從明年開(kāi)始投入HBM生產(chǎn)和TSV工藝。

由于美光需要加速滲透HBM市場(chǎng)，且2025年產(chǎn)能已被客戶滿訂，興建新廠勢(shì)在必行，并計(jì)劃在2025年維持HBM產(chǎn)品線市占率20%至25%，爭(zhēng)取追平傳統(tǒng)DRAM的水平。