季度報告顯示，為了跟上芯片需求持續增長的步伐，全球半導體制造業的產能可望在2024年提高6%，2025年提高7%，達到每月3370萬片晶圓（wpm：8英寸當量，下同）的歷史最高產能。

2024年，5納米及以下節點的前沿產能預計將增長13%，主要驅動力是用于數據中心訓練、推理和前沿設備的生成式人工智能（AI）。為了提高處理能效，包括英特爾、三星和臺積電在內的芯片制造商準備開始生產2nm全柵極（GAA）芯片，這將使2025年的前沿總產能增長17%。

SEMI總裁兼首席執行官Ajit Manocha表示："從云計算到邊緣設備，人工智能處理的普及正在推動高性能芯片的開發競賽，并推動全球半導體制造產能的強勁擴張。"這創造了一個良性循環：人工智能將推動半導體內容在各種應用領域的增長，而這反過來又會鼓勵進一步的投資。"

各國家/地區產能擴張情況

中國大陸芯片制造商的產能預計將保持兩位數增長，繼2024年增長15%至885萬片之后，2025年將增長14%至1010萬片，接近行業總產能的三分之一。盡管存在超額增長的潛在風險，但該地區仍在繼續積極投資擴大產能，部分原因是為了減輕近期出口管制的影響。包括華虹集團、力晶、西安集成、中芯國際和DRAM制造商CXMT在內的主要晶圓代工供應商都在大力投資，以提高該地區的半導體制造能力。

預計到2025年，大多數其他主要芯片制造地區的產能增長將不超過5%。預計2025年中國臺灣的產能將達到580萬wpm，增長率為4%，位居第二；而韓國預計明年將位居第三，在2024年首次突破500萬wpm大關后，產能將擴大7%，達到540萬wpm。日本、美洲、歐洲和中東以及東南亞的半導體生產能力預計將分別增長470萬wpm（同比增長3%）、320萬wpm（同比增長5%）、270萬wpm（同比增長4%）和180萬wpm（同比增長4%）。

代工、HBM迎產能擴張潮

主要受英特爾建立代工業務和中國產能擴張的推動，代工領域的產能預計將在2024年和2025年分別增長11%和10%，到2026年達到1270萬wpm。

為滿足人工智能服務器對更快處理器不斷增長的需求，高帶寬內存（HBM）得到迅速采用，這推動了內存領域前所未有的產能增長。人工智能應用的爆炸式增長推動了對更密集的HBM堆棧需求的增長。作為回應，領先的DRAM制造商正在增加對HBM/DRAM的投資。預計2024年和2025年DRAM容量都將增長9%。

相比之下，3D NAND市場復蘇依然緩慢，預計2024年產能不會增長，2025年預計增長5%。

邊緣設備中人工智能應用的興起預計將使主流智能手機的DRAM容量從8GB增加到12GB，而使用人工智能助手的筆記本電腦將至少需要16GB的DRAM。人工智能向邊緣設備的擴展也將刺激對DRAM的需求。