硅基MOS管制造的八大核心工藝步驟解析

行業背景

隨著新能源汽車、5G、AI等新型應用領域爆發，MOS管在電機驅動等場景需求也隨之激增，國產替代加速，對MOS管的工藝和性能提出了更高的要求。作為重要的分立元器件之一，如此微小而精密的電子元器件是如何生產的呢？其中又涉及到哪些高科技工藝？今天合科泰帶您進入MOS管的微觀世界。

 

MOS管的構成與原理

MOS管全稱是MOSFET，核心結構包括半導體基地、絕緣層、柵極、源極與漏極、寄生二極管。通過電場調控和半導體特性協同，可以實現高效的電能控制與信號放大功能。半導體基地（襯底）作為載體，柵極施加電壓后，絕緣層下方電場可在襯底表面形成導電溝道；源極注入載流子，漏極收集載流子導通電流，通過寄生二極管固定封裝極性，簡化電路設計。

 

MOS管制造工藝流程

MOS管的制作流程復雜且精密，主要涉及到7個大的流程，襯底準備、氧化層形成、光刻與柵極制作、源漏區摻雜、退火處理、金屬化與互連。根據不同結構的制作內容進行分類說明如下。

1、材料選擇：選擇高純度的單晶硅，使用機械拋光和化學清洗的方式去除表面雜質。

2、預處理：去除雜質的硅片需經過退火以及氧化處理，可形成初始氧化層增強表面的穩定性，比如二氧化硅。

3、熱氧化：把硅片放置到高溫爐，其中通入氧氣和水蒸氣，可以生成通常厚度為20-300nm的二氧化硅絕緣層。

4、化學氣相沉積CVD：通過氣體反應物在硅的表面沉積二氧化硅，可以用在形成柵氧化層或者場氧化層。

5、多晶硅沉積：用CVD或者PVD的方法在在絕緣層上沉積厚度約200-300nm的多晶硅層。

6、光刻與刻蝕：涂覆光刻膠并曝光掩膜圖案，顯影后保留柵極區域的多晶硅；干法刻蝕去除多余多晶硅，形成柵極結構。

7、離子注入：通過光刻定義源漏區窗口，注入磷（N型）或硼（P型）離子，形成低摻雜濃度區域（LDD區）高溫退火（約1000℃）激活摻雜劑并修復晶格損傷

8、高摻雜：在源漏區邊緣進行二次離子注入，形成高摻雜濃度區域（如N+或P+），降低接觸電阻

 

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