根據(jù)計劃，這種技術(shù)有望在2027年前完成原型設(shè)計，并在2030年前實現(xiàn)商業(yè)化。如果成功， Saimemory希望通過這種替代產(chǎn)品，搶占至少日本數(shù)據(jù)中心的市場份額。近日消息，軟銀與英特爾合作研發(fā)新型AI內(nèi)存芯片，旨在通過創(chuàng)新技術(shù)顯著降低功耗，從而推動AI數(shù)據(jù)中心的能效提升和綠色計算發(fā)展。
據(jù)悉，雙方計劃開發(fā)一種新型堆疊式DRAM芯片，其設(shè)計不同于現(xiàn)有的高帶寬內(nèi)存（HBM），預(yù)計可將電力消耗減少約50%。這一技術(shù)突破對于應(yīng)對AI計算中日益增長的能源需求和降低運營成本具有重要意義。
負責該研發(fā)項目的是軟銀與英特爾新成立的公司 Saimemory。其中，軟銀作為主要出資方，負責資金支持和戰(zhàn)略規(guī)劃，而英特爾則提供技術(shù)專利和設(shè)計經(jīng)驗，東京大學等高校則貢獻了相關(guān)研究成果。Saimemory 將主要專注于芯片的設(shè)計工作以及專利管理，而芯片的制造環(huán)節(jié)則將交由外部代工廠負責。這種分工模式有助于充分發(fā)揮各方的優(yōu)勢，提高研發(fā)效率。
Saimemory 的項目目標是開發(fā)一種堆疊式DRAM技術(shù)，通過優(yōu)化布線方式和連接技術(shù)，顯著提升能效比。這種新型內(nèi)存芯片將被用于AI訓練數(shù)據(jù)中心，以滿足海量數(shù)據(jù)處理的高算力需求。
當前，HBM市場主要由韓國SK海力士和三星電子主導，但其生產(chǎn)技術(shù)面臨良率低、成本高、能耗大等問題，導致日本企業(yè)難以獲得穩(wěn)定供應(yīng)。
同時，自1980年代失去70%以上的DRAM市場份額后，日本最后一家DRAM制造商爾必達于2013年破產(chǎn)后被美光科技收購。軟銀希望通過此次合作，開發(fā)出一種替代HBM的堆疊式DRAM解決方案，推動日本重返全球內(nèi)存芯片供應(yīng)國之列。
此外，軟銀還考慮與臺積電等半導體制造商合作，以確保產(chǎn)能和技術(shù)創(chuàng)新。此前，該公司還斥資6.76億美元收購夏普LCD工廠，擬在大阪建設(shè)150兆瓦級AI數(shù)據(jù)中心，以深化與OpenAI的合作關(guān)系并完善其AI基礎(chǔ)設(shè)施戰(zhàn)略布局。
根據(jù)計劃，這種技術(shù)有望在2027年前完成原型設(shè)計，并在2030年前實現(xiàn)商業(yè)化。如果成功， Saimemory希望通過這種替代產(chǎn)品，搶占至少日本數(shù)據(jù)中心的市場份額。
在資金投入上，整體投資預(yù)計達到100億日元（約合5億元人民幣）。其中，軟銀作為主要投資方，出資30億日元（現(xiàn)匯率約合1.5億元人民幣）。日本理化學研究所與神港精機也在考慮從資金或技術(shù)方面參與到該項目中。
當前，日本政府也在積極推動人工智能技術(shù)的發(fā)展，提供財政支持。該項目方還計劃申請政府支持，以進一步推動項目的順利開展。
責編：Jimmy.zhang
