1. 電場分布對耐壓的限制：

高壓MOS承受反向耐壓時，芯片源區邊緣因結彎曲易導致電場集中，成為薄弱點，引發過早擊穿。        

2. 創新終端結構設計：

深愛半導體F系列采用VLD與浮空場板協同的終端結構設計，通過雙重優化機制改善電場分布，顯著提升擊穿電壓與器件可靠性。

2.1 VLD（橫向變摻雜）技術解析：

基于離子注入工藝控制，通過調節掩膜開孔尺寸實現摻雜濃度梯度變化形成橫向漸變的P型摻雜區，等效增大耗盡層曲率半徑。相比傳統場限環結構，在相同耐壓規格下可縮減終端面積30-50%。難點是劑量需要精確匹配，對設備要求高。 

2.2 浮空場板（Floating FP）技術要點：

通過浮空金屬電極的電荷感應效應重構表面電場。優化設計的氧化層厚度可有效抑制場板邊緣電場集中。在面積與電場均勻性之間取得平衡。 

2.3 復合結構的協同效應

（1）耐壓性能提升：VLD優化體內電場分布，浮空場板改善表面電場，綜合提升擊穿電壓。

（2）成本優勢：優化的終端結構減少芯片面積，提升每片晶圓的產出量。

（3）可靠性增強：平滑的電場分布降低熱載流子效應，提升器件使用壽命。

3. 應用領域：

工業電源系統、新能源電力轉換裝置、大功率消費電子。

4. 深愛優勢：

在高壓應用領域，深愛對FLR和FP技術進行了深度優化。深愛半導體F系列高壓MOSFET通過創新的VLD+浮空場板復合終端設計實現了終端結構參數的精確優化、嚴格的工藝過程控制、量產穩定性和一致性的保障，為客戶提供了高可靠性、高性價比的功率器件解決方案。