韓國科技巨頭三星近日調(diào)整 DDR4 DRAM 生產(chǎn)計劃，將原定于 2025 年底終止的 1z 納米工藝 DDR4 DRAM 生產(chǎn)期限延長至 2026 年 12 月。

據(jù)韓媒《The Elec》消息，三星此前已通知客戶計劃在 2025 年底前逐步停產(chǎn) 1z 納米工藝 DDR4 DRAM，但近期決定取消該計劃。消息人士透露，三星將很快向客戶通報這一調(diào)整。

促使三星調(diào)整計劃的核心原因之一是 DDR4 價格的持續(xù)飆升。DRAMeXchange 數(shù)據(jù)顯示，截至 2025 年 7 月底，PC 級 8Gb DDR4 價格達(dá)到 3.9 美元，較 6 月底環(huán)比大幅上漲 50%。而在此前三個月，該產(chǎn)品價格已連續(xù)保持兩位數(shù)增長，4 月環(huán)比漲 22.22%、5 月漲 27.27%、6 月漲 23.81%。TrendForce 數(shù)據(jù)亦顯示，7 月 DDR4 8GB 模塊合約價為 26.5 美元，反超 DDR5 模塊的 25.5 美元。

供應(yīng)端收縮是價格上漲的重要推手。競爭對手 SK 海力士和美光為擴(kuò)產(chǎn)高帶寬存儲器（HBM），大幅削減了 DDR4 產(chǎn)能。同時，部分設(shè)備制造商為應(yīng)對美國關(guān)稅提前囤積 DDR4，加之工業(yè)主板、電信設(shè)備等長期依賴 DDR4，共同加劇了供需矛盾。

對三星而言，繼續(xù)生產(chǎn) DDR4 具備成本優(yōu)勢。其 1z 納米工藝 DDR4 產(chǎn)線已完成折舊，生產(chǎn)成本較低，能為芯片業(yè)務(wù)貢獻(xiàn)穩(wěn)定利潤。此外，三星在 HBM 領(lǐng)域進(jìn)展不及預(yù)期，認(rèn)證進(jìn)度落后于 SK 海力士和美光，在此情況下，充分利用現(xiàn)有 DDR4 產(chǎn)能成為務(wù)實選擇。

業(yè)內(nèi)認(rèn)為，三星延長 DDR4 生產(chǎn)有助于緩解市場短缺，但價格大幅下降可能性較低，漲勢或有所放緩。這一決策也從側(cè)面反映出三星在 HBM 布局上的挑戰(zhàn)。