一、產品概述

JSM2181S是一款高壓、高速功率MOSFET/IGBT高低側驅動芯片，具有兩個獨立地傳輸通道。內部集成了高、低側欠壓鎖定電路、過壓鉗位電路等保護電路，具備大電流脈沖輸出能力，邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平，其浮地通道最高工作電壓可達700V。可用于驅動N溝道高壓功率MOSFET/IGBT等器件。JSM2181S采用SOP-8封裝，可以在-40℃C至 125℃溫度范圍內工作

二、核心產品特性

• 自舉工作的浮動通道

• 最高工作電壓為700V

• 兼容 3.3V, 5V和 15V 輸入邏輯

• dv/dt 耐受能力可達+50 V/nsec

• Vs負壓耐受能力達-9V

• 柵極驅動電壓:10V到20V

• 高、低側欠壓鎖定電路

  -欠壓鎖定正向閩值 8.9V

  -欠壓鎖定負向閩值 8.2V

• 芯片開通/關斷傳輸延時

  - Ton/Toff =130ns/130ns

• 高低側延時匹配

• 驅動電流能力:

  -拉電流/灌電流=1.9A/2.3A

• 符合 RoSH 標準

• sOIc8 (S)

三、廣泛應用，解鎖更多場景可能

憑借出色的性能，JSM2181STR 的應用范圍十分廣泛。在電機控制領域，它能精準驅動電機運轉，讓電機在各種工況下都保持高效穩定；在家電領域，空調、洗衣機等設備用上它，能提升能效，降低能耗；在通用逆變器和微型逆變器中，它的高壓驅動能力和穩定性能，能有效提高能源轉換效率。

無論是工業自動化設備，還是家用電子電器，JSM2181STR 都能發揮重要作用。它在 - 40℃至 125℃的溫度范圍內都能正常工作，這讓它能適應不同地域、不同環境的使用需求，真正做到了 “全場景適配”。

JSM2181STR 這款 700V 單相高低側柵極驅動芯片，用實力證明了它在高壓驅動領域的優勢。從高壓耐受、強勁驅動，到全能兼容、多重保護，再到小巧封裝、廣泛應用，每一個特點都彰顯著它的不凡實力。如果你正在尋找一款性能卓越、穩定可靠的柵極驅動芯片，那么 JSM2181STR 絕對值得關注，它或許能為你的電子設計帶來全新的可能。

四、引腳功能描述

 極限工作范圍（Ta=25°C）

ESD 與功率特性

• ESD 額定值：機器放電模式 1.5kV，人體放電模式 500V；

• 封裝功率（Ta≤25°C）：最大值 0.625W；

• 熱阻：結到環境熱阻（Rth,JA）200°C/W；結溫（TJ）最大值 150°C；存儲溫度 - 55°C 至 150°C。

 推薦工作范圍（Ta=25°C）

電氣特性（Ta=25°C，VCC=VB=15V，CL=1nF）

芯片通過高側信號輸入（HIN）和低側信號輸入（LIN）接收控制邏輯，經電平轉換和控制邏輯處理后，通過高側輸出（HO）和低側輸出（LO）驅動外部功率器件。內部集成欠壓鎖定（UVLO）電路，當 VCC 或 VB 電壓低于閾值時，自動關斷輸出以保護器件；高低側延時匹配設計確保驅動同步性。

五、從 “可用” 到 “好用” 的升級之選

JSM2181STR 并非簡單的 “替代品”，而是 IRS2181 的 “升級款”。700V 高壓能力拓寬應用邊界，強勁驅動與精準時序降低能耗，完善保護提升可靠性，封裝兼容降低升級成本。對于需要提升系統電壓等級、優化效率或縮短升級周期的工程師而言，這款芯片用實力證明：好的替代，不僅能 “無縫銜接”，更能 “全面超越”。選擇 JSM2181STR，讓功率電子系統從 “可用” 邁向 “好用”，在可靠性與性能上實現雙重突破。

如需獲取JSM2181STR datasheet、樣品或代理合作咨詢，歡迎聯系：

 服務熱線：13824341110

 郵箱：janice@jsmsemi.cn

 官網：www.jsmsemi.com

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