2025充電寶新規落地：合科泰MOSFET如何賦能充電寶能效革命？
關鍵詞： 充電寶新國標 SGT工藝 MOSFET 同步整流 合科泰半導體
引言：新規驅動下的技術升級
2025年8月實施了充電寶新國標，其核心指標包括額定輸出容量大于90%，這個變化提高了電源轉換效率要求，把原本的隱性需求轉變成了硬性要求。合科泰半導體基于自主研發的SGT工藝平臺，推出了HKTQ65N03、HKTG50N03等明星產品，通過技術突破實現能效提升，助力客戶輕松應對新規挑戰。
SGT工藝：低損耗的核心密碼
合科泰SGT工藝采用0.18μm溝槽刻蝕技術，在30V耐壓等級實現3.8mΩ的導通電阻，關鍵突破點包括：
1. 三維柵極結構
溝槽深度達1.2μm，溝道密度提升至1.2e12 cm?2
引入屏蔽柵極降低柵漏電容Cgd，開關損耗減少35%
8nm超薄柵氧層（擊穿場強10MV/cm），柵極電荷Qg=18nC@10V
2. 封裝熱管理
PDFN3333封裝采用0.8mm厚銅漏極焊盤，熱阻RθJA=60℃/W
雙面散熱設計支持20A持續電流，結溫控制在125℃以內
3. 可靠性強化
-55℃~150℃全溫域參數漂移小于等于5%
1000次溫度循環測試后，導通電阻變化率小于3%
合科泰SGT MOSFET在同步整流中的應用示例
核心產品與場景化應用
1. HKTQ65N03：VBUS協議開關的理想選擇
參數：30V/65A，RDS(ON)=3.8mΩ@VGS=10V，PDFN3333封裝
應用：USB PD協議VBUS路徑控制
優勢：30V耐壓滿足20V輸出的電壓余量要求；3.8mΩ導通電阻在5V/2A場景下損耗僅72mW；支持1MHz開關頻率，適配PD3.1 EPR標準
2. HKTG50N03：同步整流的能效標桿
參數：30V/50A，RDS(ON)=6.8mΩ@VGS=10V，PDFN5x6封裝
應用：20W-65W快充次級同步整流
優勢：SGT工藝實現6.8mΩ超低導通電阻；反向恢復時間Trr=25ns，高頻特性優異；5x6mm封裝支持雙面散熱，持續電流達50A
3. HKTD50N06：BMS保護開關的可靠之選
參數：60V/50A，RDS(ON)=13.5mΩ@VGS=10V，TO-252封裝
應用：鋰電池放電保護開關
優勢：60V耐壓適配多串電池組；13.5mΩ平衡損耗與成本；通過10mJ雪崩能量測試
選型指南與設計建議
1. 功率分級選型
10W以下：HKTQ30N03（30V/30A/5.3mΩ）
10W-30W：HKTG50N03（同步整流）+ HKTQ65N03（VBUS開關）
30W以上：HKTD50N06（BMS保護）+ HKTG50N03（同步整流）
2. layout設計要點
VBUS路徑采用2oz銅厚，寬度≥2mm
MOSFET漏極焊盤面積≥4mm2
柵極串聯10Ω電阻抑制震蕩
結語：以技術創新應對能效挑戰
合科泰SGT工藝MOSFET通過低導通電阻、高頻開關特性和優異散熱設計，為充電寶廠商提供從協議控制到能量轉換的全鏈路解決方案。HKTQ65N03與HKTG50N03等MOS管助力通過新規能效測試，輸出容量達標率提升至95%以上。如需獲取技術支持，可聯系合科泰FAE團隊。
公司介紹
合科泰成立于1992年,是一家集研發、設計、生產、銷售一體化的專業元器件高新技術及專精特新企業。專注提供高性價比的元器件供應與定制服務，滿足企業研發需求。
產品供應品類：覆蓋半導體封裝材料、電阻/電容/電感等被動元件；以及MOSFET、TVS、肖特基、穩壓管、快恢復、橋堆、二極管、三極管及功率器件，電源管理IC及其他，一站式配齊研發與生產所需。
兩大智能生產制造中心：華南和西南制造中心（惠州7.5萬㎡+南充3.5萬㎡）配備共3000多臺先進設備及檢測儀器；2024年新增3家半導體材料子公司，從源頭把控產能與交付效率。
提供封裝測試OEM代工：支持樣品定制與小批量試產，配合100多項專利技術與ISO9001、IATF16949認證體系，讓“品質優先”貫穿從研發到交付的每一環。
合科泰在始終以“客戶至上、創新驅動”為核心，為企業提供穩定可靠的元件。
（附：樣品申請/方案咨詢/小批量采購↓）
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