HBM堆棧層數(shù)增加,傳旺宏下季度NOR Flash漲價(jià)30%
關(guān)鍵詞: AI服務(wù)器 HBM4 NOR Flash 旺宏漲價(jià) 3D NOR技術(shù)
旺宏(2337)搭上AI催動(dòng)存儲(chǔ)器升級大商機(jī),隨AI服務(wù)器搭載的高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)規(guī)格從HBM3E走向更高規(guī)的HBM4 ,由于HBM4堆棧層數(shù)增加,推升編碼型快閃存儲(chǔ)器(NOR Flash)用量激增五成,使得NOR Flash供給開始出現(xiàn)緊張狀況,主力供應(yīng)商旺宏傳因此調(diào)高明年首季報(bào)價(jià)三成。
近期存儲(chǔ)器市場火熱,DDR4、DDR5價(jià)格漲翻天,儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)市場一片向好,隨著NOR Flash跟上漲價(jià)潮,更加確立產(chǎn)業(yè)景氣欣欣向榮。
旺宏不回應(yīng)市場傳聞,董事長吳敏求昨(10)日出席「成電論壇」受訪時(shí)強(qiáng)調(diào),AI確實(shí)帶動(dòng)存儲(chǔ)器市場向上,旺宏近期也感受到需求與價(jià)格走揚(yáng),尤其NOR Flash也大量用于服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心,除了現(xiàn)階段的主流產(chǎn)品512Mb,有開始出現(xiàn)1Gb至2Gb的高容量需求,對旺宏有利。
外界以「進(jìn)入超級循環(huán)周期」來形容存儲(chǔ)器市場現(xiàn)況,向來保守的吳敏求認(rèn)為目前仍難斷言。他強(qiáng)調(diào),價(jià)格確實(shí)在漲,也確實(shí)有缺貨現(xiàn)象,但要說缺口多大、能維持多久,現(xiàn)在都言之過早。
吳敏求分析,過去數(shù)據(jù)中心以CPU為核心,如今轉(zhuǎn)向GPU架構(gòu)后,運(yùn)算效能大幅提升,各大云端服務(wù)供應(yīng)商(CSP)正展開數(shù)據(jù)中心改造計(jì)劃,這波AI熱潮能延續(xù)多久,仍需觀察各家投入AI的動(dòng)能。
吳敏求透露,旺宏NOR Flash產(chǎn)品近期在服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用出現(xiàn)回溫跡象,主要需求集中在512Mb,也有1Gb至2Gb高容量需求,預(yù)期隨著帶寬擴(kuò)大、數(shù)據(jù)傳輸速率提升,未來3D NOR技術(shù)也將成為關(guān)鍵。
供應(yīng)鏈指出,針對生成式AI、高效能運(yùn)算(HPC)、高階顯卡和服務(wù)器等需要高效處理大型數(shù)據(jù)集和復(fù)雜運(yùn)算的應(yīng)用,HBM4的特性和功能至關(guān)重要。進(jìn)一步來看,HBM4是目前HBM3標(biāo)準(zhǔn)的進(jìn)階版,提高了數(shù)據(jù)處理速度,同時(shí)保持更高的帶寬、更低的功耗,相較于HBM3,HBM4每個(gè)堆棧的通道數(shù)將增加一倍,因此實(shí)體占用空間更大。
隨著AI服務(wù)器搭載的HBM規(guī)格從HBM3E走向HBM4,堆棧層數(shù)增加的趨勢下,推升市場對NOR Flash用量提升約50%,旺宏訂單滿手,將在明年首季調(diào)漲NOR Flash報(bào)價(jià),漲幅上看三成,為業(yè)績吞下大補(bǔ)丸。
業(yè)界認(rèn)為,HBM4作為新一代HBM核心升級,系統(tǒng)性能提升之際,也為NOR Flash帶來結(jié)構(gòu)性需求機(jī)會(huì),旺宏作為全球主力NOR Flash供應(yīng)商,直接受惠。