近日,由西安電子科技大學集成電路學部郝躍院士團隊張進成教授、寧靜教授等在寬禁帶半導體材料集成領域取得取得突破性進展,研究成果以“Van der Waals β-Ga?O?thin ?lms on polycrystalline diamond substrates”為題在線發表于《Nature Communications》(DOI:10.1038/s41467-025-63666-x),該研究成功實現高質量β-Ga?O?薄膜與高導熱多晶金剛石襯底的有效集成,為解決氧化鎵基電子器件熱管理難題提供了新路徑。張進成教授為論文通訊作者,寧靜教授與碩士研究生楊芷純為論文共同第一作者。