IRFZ44NS-HXY_TO-263C_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263C 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：800圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：電壓VDS/55V 參數(shù)3：電流ID/49A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/12mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購買>-------
描述: 本款消費(fèi)級N溝道MOSFET采用TO-263封裝，具有55V高耐壓及卓越的49A大電流處理能力。專為高性能、高功率開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)，廣泛應(yīng)用于各類消費(fèi)電子產(chǎn)品中，提供出色的能效與系統(tǒng)穩(wěn)定性表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
