SQD50N06-09L_GE3_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/6.5mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
SQD50N06-09L_GE3 是一款高性能N溝道MOSFET，封裝采用緊湊型TO-252-2L，旨在優(yōu)化電路板空間利用。該器件具有強勁的工作電壓60V(VDSS)，可持續(xù)提供高達80A的漏極電流(ID)，同時以極低的導(dǎo)通電阻6.5mΩ(RD(on))表現(xiàn)出色，從而有效減少能量損失，提升整體電能轉(zhuǎn)化效率。SQD50N06-09L_GE3 適用于開關(guān)電源、馬達驅(qū)動控制等多個領(lǐng)域，是構(gòu)建高效率、低功耗電子系統(tǒng)的可靠之選。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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