DMTH6009LK3_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/80.0A 參數4：RDON/6.5mR 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
DMTH6009LK3 是一款專業級N溝道MOSFET，采用小巧高效的TO-252-2L封裝形式，專為高功率密度應用設計。器件具有60V的最大漏源電壓(VDSS)，并能在嚴苛條件下穩定輸出80A的連續漏極電流(ID)，更值得一提的是其卓越的導通性能，導通電阻僅為6.5mΩ(RD(on))，助力降低功耗、提升系統運行效率。該MOS管廣泛應用于電源轉換、電機驅動、電池管理系統等領域，是您的高性能電力解決方案的理想選擇。
