IRLR024NPBF_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/20.0A 參數4：RDON/27.0mR 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
IRLR024NPBF 是一款高性能N溝道MOS管，采用行業標準TO-252-2L封裝，結構緊湊且散熱良好。該器件亮點在于具備60V的最大漏源電壓(VDSS)和20A的連續漏極電流(ID)，能有效應對高壓大電流應用場景。其導通電阻低至27mΩ，顯著提升系統能效，降低功耗。廣泛應用于電源轉換、電機驅動等電路設計，是高功率、高效能電子設備的優選組件。
