ZXMN6A08K_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/20.0A 參數4：RDON/27.0mR 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
ZXMN6A08K 是一款N溝道MOSFET，采用小巧實用的TO-252-2L封裝，適用于各類高密度電路設計。器件在60V的最大漏源電壓(VDSS)下，可穩定承載20A的漏極電流(ID)，展現出卓越的電流處理能力。27mΩ的低導通電阻，有效提升系統效率，降低能耗。廣泛應用于電源轉換、電機驅動等場合，是您實現高性能、節能電子解決方案的理想半導體組件。
