Si2306BDS-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/4.0A 參數4：RDON/29.0mR 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
Si2306BDS-T1-GE3 是一款N溝道MOSFET，采用輕巧的SOT-23封裝，專為高集成度電路設計。器件提供30V的最大漏源電壓(VDSS)，并可承載4A的連續漏極電流(ID)，確保穩定可靠的功率傳輸。其導通電阻(RD(on))僅為29mΩ，顯著降低系統功耗，提升整體能效。這款MOS管憑借優秀的電氣性能，廣泛應用于電源轉換、負載開關、馬達驅動等多種電子設備中，是緊湊且高效能半導體解決方案的理想選擇。
