Si2304DDS-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/4.0A 參數4：RDON/29.0mR 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
Si2304DDS-T1-GE3 是一款高效能N溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，適合空間有限的電路設計。該器件提供了30V的最大漏源電壓(VDSS)，并可支持4A連續漏極電流(ID)，確保出色的電流處理性能。其導通電阻(RD(on))低至29mΩ，有效減小功耗，提升系統效率。廣泛應用于電源轉換、電機驅動、負載開關等多種場景，是您的高集成度、節能型半導體解決方案的理想選擇。
