SI7386DP-T1-E3_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/70.0A 參數4：RDON/5.7mR 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
SI7386DP-T1-E3 是一款采用先進DFN5X6-8L封裝的高性能N溝道MOS管，專為高功率密度和空間受限的應用設計。其關鍵特性包括30V的最高柵源電壓VDSS，以及高達70A的連續漏極電流ID，展現出卓越的電流承載能力。更值得關注的是，該器件具備極為優秀的導通電阻RD(on)，僅為5.7mΩ，能在大電流工作狀態下顯著減少功率損耗，提升整體系統的能效比。SI7386DP-T1-E3 MOS管廣泛適用于電源管理、馬達驅動等各種高要求的電子應用場合。
