AON6382_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/150.0A 參數4：RDON/2.0mR 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
AON6382 N溝道MOS管采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，專為現代電子設備的小型化設計需求打造。該器件支持最大30V的漏源電壓，能夠承受高達150A的連續漏極電流，表現出卓越的電流處理能力。其突出特點是導通電阻僅2mΩ，有效降低功率損耗，提升系統能效，廣泛適用于電源轉換、電機驅動、開關電源等高功率應用場合，是實現高性能電路設計的理想半導體元件。
