SI7336ADP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/150.0A 參數4：RDON/2.0mR 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
SI7336ADP-T1-GE3 是一款高性能N溝道MOS管，采用DFN5X6-8L封裝，適應現代電子產品的小型化設計需求。該器件在30V的最大漏源電壓(VDSS)下穩定運行，可處理高達150A的連續漏極電流(ID)，展現強大的電流承載能力。其獨特優勢在于僅2mΩ的超低導通電阻(RD(on))，有效降低功率損耗，提高系統能效，廣泛應用于電源轉換、電機驅動、新能源系統等高功率場合，是您實現高效、節能電路設計的理想半導體組件。
