STPSC10H065DLF-HXY_DFN8X8B_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN8X8B 類別:碳化硅二極管 最小包裝:3000/圓盤 參數1:電流IO:10A 參數2:電壓VR:650V 參數3:壓降VF:1.37V 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅二極管為獨立式結構,額定正向電流(IF)為10A,反向重復耐壓(VR)為650V,適用于中高電壓功率轉換場合。其正向導通壓降(VF)典型值為1.37V,具有較低的導通損耗,有助于提升系統能效。基于碳化硅材料特性,該器件具備優異的高溫工作性能和極快的開關速度,反向恢復電荷小,可有效減少開關損耗。適用于高頻率開關電源、高效直流變換器、儲能系統功率模塊及可再生能源逆變裝置等應用,特別適合對熱管理、能效和空間布局有較高要求的電路設計。
