IDK06G65C5XTMA2-HXY_TO-263_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-263 類別:碳化硅二極管 最小包裝:800/圓盤 參數1:電流IO:6A 參數2:電壓VR:650V 參數3:壓降VF:1.36V 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅二極管為獨立式配置,具備6A的正向電流(IF)和650V的反向耐壓(VR),適用于中高壓電源系統。其正向導通壓降(VF)為1.36V,在同類器件中表現優異,有助于降低導通損耗,提升能量轉換效率。得益于碳化硅材料的高熱導率與高擊穿電場特性,該二極管支持高頻開關操作,具備良好的熱穩定性與長期可靠性,常用于高效開關電源、光伏逆變裝置、儲能系統中的功率因數校正及直流變換電路,有助于減小磁性元件體積并提升系統功率密度。
