FFSM0865B-HXY_DFN8X8B_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅二極管 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流IO:8A 參數(shù)2：電壓VR:650V 參數(shù)3：壓降VF:1.42V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該碳化硅二極管采用獨立式結構，具備8A的正向平均電流（IF）和650V的反向重復電壓（VR），適用于中等功率電壓等級的電路設計。其正向導通壓降（VF）典型值為1.42V，有助于降低導通損耗，提高能效表現(xiàn)。基于碳化硅材料特性，器件具備優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性和快速開關能力，反向恢復特性理想，適用于高頻開關電源、通信電源模塊、光伏逆變系統(tǒng)及高密度直流變換裝置等應用場景，能夠滿足對效率、尺寸和熱性能有較高要求的電力電子系統(tǒng)設計需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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