C6D10065Q-TR-HXY_DFN8X8B_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN8X8B 類別:碳化硅二極管 最小包裝:3000/圓盤 參數1:電流IO:10A 參數2:電壓VR:650V 參數3:壓降VF:1.37V 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅二極管為獨立式器件,具備10A的正向電流(IF)和650V的反向重復峰值電壓(VR),正向壓降(VF)低至1.37V。采用碳化硅材料,具有優異的熱穩定性和高頻開關特性,反向恢復時間極短,漏電流小。該器件適用于高密度電源系統,如高效能電源適配器、服務器電源模塊及可再生能源逆變裝置,能夠在高溫與高頻環境下保持穩定運行,有效降低系統能量損耗,提升轉換效率,同時有助于減小外圍無源元件的體積與整體散熱需求。
