C6D08065G-TR-HXY_TO-263_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數1：電流IO:8A 參數2：電壓VR:650V 參數3：壓降VF:1.38V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅二極管采用獨立式配置，具備8A的正向電流（IF）和650V的反向重復峰值電壓（VR），在高負載條件下仍能保持穩定性能。其正向導通壓降低至1.38V，有效減少導通損耗，提升系統整體能效。基于碳化硅材料的特性，該器件支持高頻開關操作，反向恢復時間極短，可顯著降低開關損耗，適用于高頻率、高效率的電源轉換設計。典型應用場景包括高效開關電源、高密度功率變換模塊及對熱管理要求嚴苛的緊湊型電子設備。
