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C6D08065G-TR-HXY_TO-263_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:TO-263 類(lèi)別:碳化硅二極管 最小包裝:800/圓盤(pán) 參數(shù)1:電流IO:8A 參數(shù)2:電壓VR:650V 參數(shù)3:壓降VF:1.38V 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

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該碳化硅二極管采用獨(dú)立式配置,具備8A的正向電流(IF)和650V的反向重復(fù)峰值電壓(VR),在高負(fù)載條件下仍能保持穩(wěn)定性能。其正向?qū)▔航档椭?.38V,有效減少導(dǎo)通損耗,提升系統(tǒng)整體能效。基于碳化硅材料的特性,該器件支持高頻開(kāi)關(guān)操作,反向恢復(fù)時(shí)間極短,可顯著降低開(kāi)關(guān)損耗,適用于高頻率、高效率的電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)。典型應(yīng)用場(chǎng)景包括高效開(kāi)關(guān)電源、高密度功率變換模塊及對(duì)熱管理要求嚴(yán)苛的緊湊型電子設(shè)備。

企業(yè)聯(lián)系方式
  • 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
  • 高新企業(yè)

  • 聯(lián) 系 人:張婉儀
  • 聯(lián)系電話(huà):18929373249
  • 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014