E4D02120E-TR-HXY_TO-252-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:碳化硅二極管 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流IO:2A 參數2:電壓VR:1200V 參數3:壓降VF:1.36V 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
該款碳化硅二極管為獨立式結構,額定正向電流(IF)為2A,反向重復峰值電壓(VR)可達1200V,正向壓降(VF)典型值為1.36V。得益于碳化硅材料的高擊穿電場強度,器件具備優異的耐壓能力與較低的導通損耗,同時具有極短的反向恢復時間,適用于高電壓、高頻率的開關電源環境。典型應用包括高壓電源模塊、大功率DC-DC轉換器、不間斷電源系統及光伏逆變器中的功率整流單元,有助于提升系統能效并減少散熱設計復雜度。
