C3D08065E-TR-HXY_TO-252-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅二極管 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流IO:8A 參數2：電壓VR:650V 參數3：壓降VF:1.4V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅二極管為獨立式單體結構，額定正向電流（IF）為8A，反向重復峰值電壓（VR）達650V，正向導通壓降（VF）為1.4V。依托碳化硅半導體材料的高熱導率與高擊穿場強特性，器件具備優異的耐高溫性能和極快的開關響應速度，反向恢復電荷極低。適用于高效率開關電源、不間斷電源系統、太陽能逆變裝置以及高密度DC-DC變換器等應用，能有效降低系統開關損耗，提升功率密度與整體能效水平，尤其適合對熱管理與空間布局要求嚴苛的高性能電力電子設備。
