C6D06065G-TR-HXY_TO-263_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數1：電流IO:6A 參數2：電壓VR:650V 參數3：壓降VF:1.36V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅二極管采用獨立式結構，具備6A的正向電流（IF）和650V的反向耐壓（VR），適用于中等功率電力轉換應用。其正向導通壓降（VF）低至1.36V，有效降低導通損耗，提升能效。基于碳化硅材料特性，器件具有優異的高溫穩定性與快速開關響應能力，反向恢復時間短，適用于高頻工作環境。該產品可應用于高效開關電源、直流電源轉換模塊及對散熱性能要求較高的電子設備中，獨立封裝設計便于集成與熱管理，適合追求高功率密度與長期運行可靠性的電路架構。
