S3D10065L-HXY_DFN8X8B_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅二極管 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流IO:10A 參數2：電壓VR:650V 參數3：壓降VF:1.37V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅二極管為獨立式單管結構，額定正向電流（IF）為10A，反向重復峰值電壓（VR）達650V，適用于中高壓功率轉換電路。其正向導通壓降（VF）低至1.37V，有效降低導通損耗，提升系統能效。基于碳化硅材料的優異特性，該器件具備快速開關能力、較小的反向恢復電荷及良好的熱穩定性，適合在高頻、高效率電源設計中應用。典型使用場景包括高效AC-DC/DC-DC轉換器、不間斷電源模塊及高密度電源適配器等對性能與可靠性要求較高的場合。
