WNSC04650T6J-HXY_DFN8X8B_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅二極管 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流IO:4A 參數2：電壓VR:650V 參數3：壓降VF:1.4V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅二極管采用獨立式配置，具備4A的正向電流（IF）和650V的反向耐壓（VR），在高效能電力轉換中表現出色。其正向導通壓降（VF）低至1.4V，有助于減少導通損耗，提升系統整體效率。器件利用碳化硅材料的優異特性，支持高頻工作，反向恢復時間極短，適用于高密度電源設計。典型應用場景包括開關模式電源、服務器電源單元、可再生能源逆變裝置及高效率DC-DC轉換器，適合對熱性能和空間布局有嚴格要求的緊湊型電子設備。
