C6D06065Q-TR-HXY_DFN8X8B_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅二極管 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流IO:6A 參數2：電壓VR:650V 參數3：壓降VF:1.32V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅二極管為單體結構，額定正向電流（IF）為6A，反向重復峰值電壓（VR）達650V，正向導通壓降（VF）低至1.32V。依托碳化硅半導體材料，具備出色的熱穩定性和極快的開關速度，反向恢復時間短，漏電流小。適用于高效率、高頻率的電力轉換場景，如通信電源、不間斷電源系統、光伏逆變器中的續流與整流環節，以及高功率密度的開關電源模塊，有助于降低系統功耗，提升整體能效與運行可靠性。
