SIC0860PL8-HXY_DFN8X8B_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN8X8B 類別:碳化硅二極管 最小包裝:3000/圓盤 參數1:電流IO:8A 參數2:電壓VR:650V 參數3:壓降VF:1.42V 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅二極管采用獨立式配置,具備8A的正向電流(IF)和650V的反向重復峰值電壓(VR),在高頻開關條件下表現出優異的導通能力與耐壓性能。其正向壓降(VF)低至1.42V,有助于降低導通損耗,提升系統整體能效。器件利用碳化硅材料的特性,具備快速恢復速度和良好的熱穩定性,適用于高頻率、高效率的電源轉換設計。典型應用場景包括開關模式電源、DC-DC轉換器及功率因數校正電路,適合對功率密度和轉換效率有較高要求的電子設備。
