US2D-B_SMB_快恢復/高效率二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SMB 類別:快恢復/高效率二極管 最小包裝:3000/圓盤 參數1:電流IO:2A 參數2:電壓VR:200V 參數3:壓降VF:1V 參數4:反向電流IR:5uA 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這款快恢復/高效率二極管設計緊湊,具備2安培的最大正向電流(IF),并且能夠承受最高200伏特的反向電壓(VR),確保了其在高壓環境下的可靠性。該二極管的正向壓降(VF)為1伏特,在大電流通過時能量損失較小。其反向漏電流(IR)控制在微安級別(5微安),表明在關閉狀態下幾乎無電流泄露,有助于提高系統的整體效率。瞬態正向浪涌電流(IFSM)可達60安培,表明它能短暫處理超出正常操作范圍的大電流沖擊。這些特性使其非常適合用于高頻開關電源以及需要快速開關特性的電路中,以減少能量損耗并提升轉換效率。
