IDH08G65C6XKSA1_TO-220H-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220H-2L 類別：碳化硅二極管 最小包裝：50/管裝 參數1：電流IO:8A 參數2：電壓VR:650V 參數3：壓降VF:1.3V 參數4：反向電流IR:50uA 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款碳化硅二極管的正向電流額定值為8A（IF/A），可承受的最大反向電壓為650V（VR/V）。其正向電壓降僅為1.3V（VF/V），有助于減少能量損耗。在反向測試條件下，漏電流不超過50μA（IR/uA）。此外，該二極管能夠處理高達64A的瞬態正向浪涌電流（IFSM/A）。這些特性使其成為高頻開關電路和高性能能量轉換解決方案的理想選擇。
