HIDH04G65C6XKSA1_TO-220H-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220H-2L 類別：碳化硅二極管 最小包裝：50/管裝 參數1：電流IO:4A 參數2：電壓VR:650V 參數3：壓降VF:1.3V 參數4：反向電流IR:50uA 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款碳化硅二極管具備4安培的正向電流（IF），可承受高達650伏特的反向電壓（VR），確保了其在高壓條件下的穩定表現。該二極管的正向電壓（VF）為1.3伏特，在導通狀態下能夠減少電力損耗。反向電流（IR）僅為50微安，體現了出色的絕緣性能。同時，它還擁有23安培的最大正向浪涌電流（IFSM），能夠在短時電流峰值情況下保持可靠操作。這些特點使其成為要求嚴苛的電路設計中的理想選擇，適用于需要高效能開關功能的多種電子設備中。
