HNXPSC12650B6J_TO-263_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數1：電流IO:12A 參數2：電壓VR:650V 參數3：壓降VF:1.3V 參數4：反向電流IR:50uA 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款碳化硅二極管具有12A的正向電流（IF），能夠在高達650V的反向電壓（VR）下正常工作。其正向電壓降（VF）僅為1.3V，在保證性能的同時減少了能量損耗。該二極管的反向漏電流（IR）為50微安，在較高溫度下仍能保持較低的漏電水平。瞬態正向浪涌電流（IFSM）可達90A，適合需要處理短時大電流的應用場景。這些特性使得此款二極管在需要高效能與可靠性的電路設計中成為理想選擇。
