HC6D04065E_TO-252-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅二極管 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流IO:4A 參數2：電壓VR:650V 參數3：壓降VF:1.3V 參數4：反向電流IR:50uA 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款碳化硅二極管設計有4安培的最大正向電流（IF/A），能承受高達650伏特的反向電壓（VR/V）。其正向電壓降（VF/V）為1.3伏特，有助于減少能耗并提高效率。在反向偏置狀態下，其漏電流（IR/uA）不超過50微安，顯示了良好的阻斷性能。該二極管還具備36安培的峰值浪涌電流（IFSM/A），能夠在極端情況下提供額外的安全裕量。這些特性使其非常適合應用于需要快速切換及穩定性能的電路中，如高頻開關電源轉換和逆變技術等領域。
