HNXPSC10650B6J_TO-263_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：電流IO:10A 參數(shù)2：電壓VR:650V 參數(shù)3：壓降VF:1.3V 參數(shù)4：反向電流IR:50uA 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
此款碳化硅二極管具備10A的正向電流能力（IF），同時支持最大650V的反向電壓（VR）。其正向電壓（VF）為1.3V，有助于減少能量損耗。該二極管在反向偏置時，反向漏電流（IR）控制在50微安以內(nèi)，體現(xiàn)了出色的絕緣性能。其峰值正向浪涌電流（IFSM）可達(dá)80A，適用于要求嚴(yán)苛的高頻開關(guān)與電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中，提供穩(wěn)定且高效的性能表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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