HFFSB1065A_TO-263_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數1：電流IO:10A 參數2：電壓VR:650V 參數3：壓降VF:1.3V 參數4：反向電流IR:50uA 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款碳化硅二極管具有10A的正向電流（IF/A），能夠承受最高650V的反向電壓（VR/V）。其正向電壓降（VF/V）僅為1.3V，在確保高效能的同時，降低了能量損耗。該二極管的反向漏電流（IR/uA）為50微安，在高電壓環境下也能保持良好的阻斷性能。此外，瞬態正向浪涌電流（IFSM/A）可達80A，適用于需要高可靠性及快速開關特性的電路設計中。
