HC6D10065G_TO-263_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-263 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：電流IO:10A 參數(shù)2：電壓VR:650V 參數(shù)3：壓降VF:1.3V 參數(shù)4：反向電流IR:50uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款碳化硅二極管設(shè)計(jì)精良，具備10安培的額定正向電流IF和650伏特的反向峰值電壓VR，滿足高功率應(yīng)用需求。其正向壓降VF僅為1.3伏特，有助于降低功耗并提高效率。反向漏電流IR控制在50微安，確保設(shè)備在高溫工作環(huán)境中的穩(wěn)定性。最大非重復(fù)正向浪涌電流IFSM為80安培，增強(qiáng)了器件的抗沖擊能力。適用于高頻開關(guān)電源、光伏逆變器等高效率、高可靠性要求的電路設(shè)計(jì)中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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