HC6D10065G_TO-263_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數1：電流IO:10A 參數2：電壓VR:650V 參數3：壓降VF:1.3V 參數4：反向電流IR:50uA 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款碳化硅二極管設計精良，具備10安培的額定正向電流IF和650伏特的反向峰值電壓VR，滿足高功率應用需求。其正向壓降VF僅為1.3伏特，有助于降低功耗并提高效率。反向漏電流IR控制在50微安，確保設備在高溫工作環境中的穩定性。最大非重復正向浪涌電流IFSM為80安培，增強了器件的抗沖擊能力。適用于高頻開關電源、光伏逆變器等高效率、高可靠性要求的電路設計中。
