HSTPSC4H065BTR_TO-252-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅二極管 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流IO:4A 參數2：電壓VR:650V 參數3：壓降VF:1.3V 參數4：反向電流IR:50uA 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款碳化硅二極管具備4安培的正向電流（IF），并能承受最高650伏特的反向電壓（VR），適合用于需要可靠高壓保護的電路中。其正向電壓（VF）為1.3伏特，在導通狀態下可以減少電力損耗。反向漏電流（IR）控制在50微安，顯示了良好的阻斷性能。此外，該二極管還具有36安培的峰值電流能力（IFSM），能夠在短時間內承受較高的電流沖擊，適用于要求快速開關及高效能的電子設計中。這些特點共同保證了其在多種精密應用中的優異表現。
