HFFSP20120A_TO-220H-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220H-2L 類別：碳化硅二極管 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：電流IO:20A 參數(shù)2：電壓VR:1200V 參數(shù)3：壓降VF:1.5V 參數(shù)4：反向電流IR:200uA 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款碳化硅二極管具有20安培的正向電流（IF），以及高達1200伏特的反向擊穿電壓（VR），確保了其在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定性能。該二極管的正向電壓降（VF）僅為1.5伏特，在大電流工作條件下能夠有效降低能耗。同時，它擁有低至200微安的反向漏電流（IR），表明其在關(guān)閉狀態(tài)下幾乎無電流泄露，提升了整體效率。此外，此二極管的峰值電流（IFSM）可達130安培，適用于需要瞬時處理高電流的應(yīng)用場合。這些特性使其成為高性能電路設(shè)計中的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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