HFFSB1065B_TO-263_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-263 類別:碳化硅二極管 最小包裝:800/圓盤 參數1:電流IO:10A 參數2:電壓VR:650V 參數3:壓降VF:1.3V 參數4:反向電流IR:50uA 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這款碳化硅二極管具有10A的正向電流(IF/A),能夠承受最高650V的反向電壓(VR/V)。其正向電壓降(VF/V)僅為1.3V,在反向偏置條件下,漏電流(IR/uA)不超過50微安。此外,該二極管瞬態正向浪涌電流(IFSM/A)可達80A,在高頻開關電源和其他需要高效能與高可靠性的電路中,可以提供卓越的性能表現。
