HSCS210KNHRTRL_TO-263_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：電流IO:10A 參數(shù)2：電壓VR:1200V 參數(shù)3：壓降VF:1.4V 參數(shù)4：反向電流IR:100uA 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款碳化硅二極管具備10A的正向平均電流(IF)和高達1200V的反向電壓(VR)，適用于高電壓環(huán)境。其正向電壓(VF)為1.4V，有助于保持較低的導通損耗。該器件擁有100μA的反向漏電流(IR)，確保了良好的電性能。最大浪涌電流(IFSM)可達90A，提高了應對瞬態(tài)大電流的能力。這些特性使其成為電源轉(zhuǎn)換、逆變器以及其他需要高效能與穩(wěn)定性的電子設備的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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