HIDK12G65C5_TO-263_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：電流IO:12A 參數(shù)2：電壓VR:650V 參數(shù)3：壓降VF:1.3V 參數(shù)4：反向電流IR:50uA 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
此款碳化硅二極管具備12安培的正向電流（IF/A），可承受高達650伏特的反向電壓（VR/V）。其正向電壓（VF/V）為1.3伏特，在確保高效能的同時降低了功耗。反向漏電流（IR/uA）為50微安，體現(xiàn)了優(yōu)異的絕緣特性。該二極管支持高達90安培的峰值瞬態(tài)電流（IFSM/A），適用于需要快速開關(guān)及穩(wěn)定整流性能的應(yīng)用場合，能有效提升系統(tǒng)的整體效率與可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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