HIDW40G120C5B_TO-247_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅二極管 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IO:40A 參數2：電壓VR:1200V 參數3：壓降VF:1.5V 參數4：反向電流IR:200uA 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款碳化硅二極管擁有40安培的正向電流（IF）承載能力，以及1200伏特的反向擊穿電壓（VR），表明其可以在高壓和大電流條件下可靠運作。其正向電壓降（VF）為1.5伏特，有助于減少能量損耗，提高系統的整體效率。反向漏電流（IR）控制在200微安，這保證了在非導通狀態下的低能耗特性。瞬態正向電流（IFSM）可達130安培，意味著它可以在短時間內處理電流尖峰。這些特性使得該二極管非常適合應用于需要高性能整流和高效率轉換的電路設計中。
