HSCS210ANHR_TO-263_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數1：電流IO:10A 參數2：電壓VR:650V 參數3：壓降VF:1.3V 參數4：反向電流IR:50uA 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款碳化硅二極管設計用于需要高性能和高效率的場合，具備10A的正向平均電流(IF)能力，能夠承受高達650V的反向電壓(VR)，確保了在高壓條件下的可靠運行。其正向電壓(VF)僅為1.3V，有助于降低系統能耗。該二極管還具有低至50μA的反向漏電流(IR)，減少了不必要的能量損失。最大浪涌電流(IFSM)可達80A，增強了對突發大電流情況的處理能力，適合應用于各種電源轉換及高效能電子設備中。
